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第266章 这才是底牌!

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了,并没有如同电影里那样,发出金光闪闪的光芒,里面是一枚很小很小的芯片,从外观上看,谁也看不出名堂。

  “性能呢!”潘宇焦急的问道,“能达到麒麟芯片的水平吗?”

  “桦为的麒麟芯片?何止!”喻黎明说道,“我不跟你说芯片具体性能,我只跟你说一点,它的制造工艺,你就明白了。”

  “制造工艺?它是几纳米工艺的?10纳米?”潘宇问道。

  一般科技公司,能造出10nm工艺的芯片就已经不错了。要知道,1纳米相当于4倍原子大小,比单个细菌的长度还要小很多。假设普通成年人头发一般是80~90微米,差不多1根头发丝有10万个纳米单位。放大比例来看如果一根头发直径是100米,那1纳米就相当于一粒沙。

  在这么小的尺寸上进行芯片制造,建造各种晶体管,这种工艺,代表了人类科技在某个领域的巅峰!

  喻黎明摇了摇头,潘宇质疑道:“难道10纳米都没有,麒麟芯片都7纳米工艺了。”

  高通公司,甚至还掌握了5纳米工艺,只是没有量产,因为成本太高。

  “他的意思是,往低了猜。”孟晓白忍不住说道。

  “不可能,难道我们都有5纳米工艺了?那岂不是直接就是世界一流的芯片制造企业了?”潘宇纳闷道。

  “也不是5纳米。”喻黎明还在卖关子。

  “那就是10纳米!”潘宇肯定道,“5纳米都已经是极限了!”

  目前芯片制造使用的FINFET的FIN宽度在5纳米时会达到工艺极限,也就说几乎不可能再提升了。

  “错,是3纳米工艺!”喻黎明说道。

  “怎么可能是3纳米?这不科学!”潘宇表示难以相信。

  “3纳米?我记得高通卖给我们的芯片都才是7纳米工艺,这……我们才研发了多久?”甘华荣也表示不信,其他几人都是同样的想法。

  “还是让王老师跟你们讲吧。”喻黎明把舞台交给了王远航。

  王远航讲解道:“所谓的5纳米工艺极限,是使用传统的FINFET制造工艺时遇到的工艺极限。但如果我们将MOS管沟道的材料从硅/锗硅改为载流子速率更快的锗,就有办法制造出3NM工艺的芯片。”

  “除此之外,我们还能用GAA纳米片FET在FINFET上进行革新的办法。将原来沟道有源区的三个方向包裹变成四个,增强对沟道电流的控制力。或者使用GAA纳米线FET设计……”

  高媛俏脸上一脸迷茫:“???”

  她完全没有听懂王远航在讲什么,和她一样,乔简,甘华荣也是一脸懵,潘宇虽然听懂了一点,但具体分析还是不太明白。

  他们只听懂了最关键的一点,使用了最新工艺后,深空半导体成功的突破了7NM和5NM工艺,制造出了3NM工艺的智能芯片!

  这不仅是打破了国外厂商的技术封锁,更是创造了一个全新的记录!这将是一个震惊世界的研究成果!